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电子元器件详细资料 » IC[11026] » ALD110902PAL
型号:ALD110902PAL类别:FET - 阵列制造商:Advanced Linear Devices Inc
封装:8-DIP(0.300",7.62mm)描述:MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N-CH 10.6V DUAL 8PDIP
系列EPAD®
制造商Advanced Linear Devices Inc
FET型2 N 沟道(双)配对
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)10.6V
电流_连续漏极(Id)0a025000C12mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C500 欧姆 @ 4.2V
Id时的Vgs(th)111最大222220mV @ 1µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs-
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大500mW
安装类型通孔
封装/外壳8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装8-PDIP
包装管件

供应商

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现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
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中科航芯(深圳)科技有限公司李18927479189
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